絶縁ゲートバイポーラトランジスタの解説頁です。
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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
とは?
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パワー半導体裏面薄化加工受託
裏面Bグラインドで薄化+電極面平坦化をBポリッシュ+RCAで一貫可
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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、Insulated Gate Bipolar Transistor、
IGBT
)は
半導体素子
のひとつで、
MOSFET
をゲート部に組み込んだバイポーラ
トランジスタ
である。
電力制御の用途で使用される。
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パワー半導体裏面薄化加工受託
裏面Bグラインドで薄化+電極面平坦化をBポリッシュ+RCAで一貫可
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